Europa caută să reducă dependența de lanțurile de aprovizionare externe în domeniul critic al semiconductorilor, esențial pentru economie și securitate. În acest sens, Uniunea Europeană investește în deschiderea unei noi infrastructuri de testare și dezvoltare pentru cipuri de ultimă generație, concepută ca o punte între cercetare și producția industrială.
O „linie pilot” pentru tehnologiile semiconductoare de ultimă generație
Proiectul NanoIC reprezintă o infrastructură europeană tip „linie pilot”, destinată să accelereze trecerea de la laborator la fabrică pentru tehnologii de semiconductori peste pragul de 2 nanometri, vitale pentru inteligența artificială, comunicații, sector auto și aplicații industriale.
Obiectivul principal este simplu: companiile, start-up-urile și institutele de cercetare pot testa design-uri, echipamente și procese aproape de scară industrială, înainte ca acestea să fie transferate în producția de volum. Conceptul de „accès deschis” este frecvent menționat în descrierea inițiativei, pentru a nu limita accesul la aceste resurse doar marilor jucători din industrie. 
Importanța investiției și legătura cu *suveranitatea* tehnologică europeană
În comunicările oficiale, proiectele de acest gen sunt tot mai des asociate cu tema „suverenității tehnologice”: Europa dorește să își păstreze relevanța în proiectarea și fabricarea cipurilor ce vor alimenta o nouă generație de produse și servicii digitale, de la cloud și inteligență artificială până la 6G și sisteme autonome. În termeni mai simpli, este o cursă pentru reziliența economică și competitivitatea globală, într-o industrie în care întârzierile pot costa ani de dezvoltare.
NanoIC este integrat în strategia mai amplă a inițiativei europene pentru semiconductori, în care „liniile pilote” au rolul de a transforma excelența în cercetare în rezultate concrete pentru industrie. În documentele de prezentare ale ecosistemului „Chips for Europe”, NanoIC este ilustrat ca o componentă esențială care asigură accesul întregii industrii la o linie pilot de 300 mm pentru tehnologii avansate dincolo de 2 nanometri.
